型号:FDR8305N | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Fairchild Semiconductor |
封装:8-SSOT,SuperSOT-8 | 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A SSOT-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 4.5A SSOT-8 |
系列 | - |
制造商 | Fairchild Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 4.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 22 毫欧 @ 4.5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 23nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1600pF @ 10V |
功率_最大 | 800mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SSOT,SuperSOT-8 |
供应商设备封装 | 8-SSOT |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
深圳市楷瑞达科技电子有限公司 | 朱先生13528893675 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
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